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LED行业中所说的PSS衬底和PSS工艺是什么？LED PSS是“图案化蓝宝石基板”。以蚀刻(在蓝宝石C面干式蚀刻/湿式蚀刻)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出微米级或纳米级的具有微结构特定规则的图案,藉以控制LED之输出光形式(蓝宝石基板上的凹凸图案会产生光散射或折射的效果增加光的取出率),同时GaN薄膜成长于图案化蓝宝石基板上会产生横向磊晶的效果,减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，改善磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。与成长于一般蓝宝石基板的LED相比,亮度增加了70%以上.目前台湾生产图案化蓝宝石有中美矽晶、合晶、兆晶，兆达.蓝宝石基板中2/4英寸是成熟产品,价格逐渐稳定,而大尺寸(如6/8英寸)的普通蓝宝石基板与2英寸图案化蓝宝石基板处于成长期,价格也较高,其生产商也是主推大尺寸与图案化蓝宝石基板,同时也积极增加产能.目前大陆还没有厂家能生产出图案化蓝宝石基板.
led量子阱原理？量子阱主要是提高符合效率，量子阱越多复合效率也越高，但是也不能无限多，也受限于量子阱与量子阱之间壁厚，如果量子阱太多，会导致壁很薄，会出现电子隧穿现象，导致量子井电量分布不均匀。
提高光源发光效率的方法？一、透明衬底技术ingaalpled通常是在gaas衬底上外延生长ingaalp发光区gap窗口区制备而成。与ingaalp相比,gaas材料具有小得多的禁带宽度,因此,当短波长的光从发光区与窗口表面射入gaas衬底时,将被悉数吸收,成为器件出光效率不高的主要原因。
在衬底与限制层之间生长一个布喇格反射区,能将垂直射向衬底的光反射回发光区或窗口,部分改善了器件的出光特性。
一个更为有效的方法是先去除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。
为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作成截角倒锥体的外形,使量子效率有了更大的提高。二、金属膜反射技术透明衬底制程首先起源于美国的hp、lumileds等公司,金属膜反射法主要有日本、台湾厂商进行了大量的研究与发展。
这种制程不但回避了透明衬底专利,而且,更利于规模生产。其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。
该制程通常谓之mb制程,首先去除gaas衬底,然后在其表面与si基底表面同时蒸镀al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。
如此,从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。三、表面微结构技术表面微结构制程是提高器件出光效率的又一个有效技术,该技术的基本要点是在芯片表面刻蚀大量尺寸为光波长量级的小结构,每个结构呈截角四面体状,如此不但扩展了出光面积,而且改变了光在芯片表面处的折射方向,从而使透光效率明显提高。
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